[发明专利]用于高机械可靠性用途的晶片级互连有效
| 申请号： | 200780040017.8 | 申请日： | 2007-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN101589462A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | A·科提斯;G·F·博格斯;M·约翰逊;T·特塞尔;Y·羽 | 申请（专利权）人： | 倒装芯片国际有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/4763 | 分类号： | H01L21/4763 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李 帆 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文描述的结构包括位于两个间隔开的电接触部之间的互连。该互连包含基本由镍(Ni)、锡(Sn)、银(Ag)和铜(Cu)组成的无铅(Pb)焊料合金。当位于两个接触部之间时，镍(Ni)含量足以在凸点下金属层中产生平滑界面IMC层。本文描述结构的实施方案是一种器件，其包含：衬底，位于衬底上的凸点下金属层(UBM)，位于凸点下金属层(UBM)上的主体焊料体，通过主体焊料体连接到凸点下金属层(UBM)的晶片部件。主体焊料体包含镍(Ni)、锡(Sn)、银(Ag)和铜(Cu)。镍(Ni)在0.01-0.20重量％(wt％)的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 机械 可靠性 用途 晶片 互连 | ||
【主权项】：
1.位于两个间隔开的电接触部之间的互连，该互连包含：基本由镍(Ni)、锡(Sn)、银(Ag)和铜(Cu)组成的无铅(Pb)焊料合金；其中当位于两个接触部之间时，镍(Ni)含量足以在凸点下金属层(UBM)中产生平滑界面IMC层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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