[发明专利]薄膜太阳能电池和薄膜太阳能电池的制造方法无效
申请号: | 200780040116.6 | 申请日: | 2007-09-19 |
公开(公告)号: | CN101529602A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 立花伸介 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 葛 青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 公开了一种薄膜太阳能电池(1),其包括透明绝缘衬底(2),顺序设置于所述透明绝缘衬底(2)上的透明电极层(3)、半导体光电转换层(4)和背电极层(5),和分隔至少所述背电极层(5)的分隔沟槽(8)。在该薄膜太阳能电池(1)中,所述透明电极层(3)在所述分隔沟槽(8)的长度方向,延伸至所述半导体光电转换层(4)和背电极层(5)之外。还公开了所述薄膜太阳能电池(1)的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜太阳能电池(1),包括:透明绝缘衬底(2),顺序堆叠在所述透明绝缘衬底(2)上的透明电极层(3)、半导体光电转换层(4)、和背电极层(5),和分隔至少所述背电极层(5)的分离沟槽(8),所述透明电极层(3)在所述分离沟槽(8)的长度方向突出,延伸至所述半导体沟道转换层(4)和所述背电极层(5)之外。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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