[发明专利]用于栅极叠层结构的集群顺序处理的方法

摘要

本发明提供了一种形成包括硅和氧的栅极电介质的方法。栅极电介质还可包括氮或另一种高k材料。在一个方面，形成栅极电介质包括在氧化气氛中退火衬底以形成氧化硅层，通过气相沉积在氧化硅层上沉积氮化硅层或高k层，氧化氮化硅层或高k层的上表面，之后退火衬底。可在集成处理系统中形成栅极电介质。

主权项

1.一种在衬底上形成包括硅和氧的栅极电介质的方法，包括：在氧化气氛中实施首次退火包括硅的衬底以在所述衬底上形成氧化硅层；通过化学气相沉积或者原子层沉积在所述氧化硅层上沉积氮化硅层或高k层，该高k层选自由氧化铪层、硅酸铪层和硅酸镧铪层组成的组；将所述氮化硅层或高k层暴露到包括氧的等离子体中以氧化所述氮化硅层或高k层的上表面；和之后实施第二次退火所述衬底。