[发明专利]布线膜的形成方法、晶体管及电子装置有效
| 申请号： | 200780040402.2 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101529566A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 高泽悟;武井应树;高桥明久;片桐弘明;浮岛祯之;谷典明;石桥晓;增田忠 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;G02F1/1343;G02F1/1368;H01L21/285;H01L21/336;H01L23/52;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;徐予红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 形成密合性和阻挡(barrier)性优异、电阻值低的布线膜。向配置了成膜对象物21的真空槽2导入氧气，在包含氧的真空气氛中，溅镀以铜为主成分并含有从Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成添加元素群选择的至少一种添加元素的溅镀靶11，在成膜对象物21表面形成第一金属膜23，然后在停止导入氧气的状态下，对溅镀靶11进行溅镀，在第一金属膜23表面形成第二金属膜24之后，蚀刻第一、第二金属膜23、24而形成布线膜。 | ||
| 搜索关键词： | 布线 形成 方法 晶体管 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种在成膜对象物的硅或二氧化硅露出的表面形成布线膜的布线膜的形成方法，其中，向放置了上述成膜对象物的真空气氛中导入氧气和溅镀气体，在含有氧的真空气氛中，溅镀以铜为主成分并含有从Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成的添加元素群选择的至少一种添加元素的第一溅镀靶，在上述成膜对象物表面形成第一金属膜，然后在停止对放置了上述成膜对象物的真空气氛导入氧气的状态下，溅镀以铜为主成分的第二溅镀靶，在上述第一金属膜表面上形成第二金属膜，蚀刻上述第一、第二金属膜而形成上述布线膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
