[发明专利]形成包括具有受应力的信道区的场效晶体管的半导体结构的方法有效
| 申请号： | 200780040637.1 | 申请日： | 2007-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN101584038A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | A·格林;A·魏;A·莫里;M·拉托尔 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程 伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成半导体结构的方法，包括提供半导体衬底，该半导体衬底包括第一晶体管元件及第二晶体管元件。该第一晶体管元件包括至少一个第一非结晶区(amorphous region)，而该第二晶体管元件包括至少一个第二非结晶区。应力产生层系形成于该第一晶体管元件之上，该应力产生层并未覆盖该第二晶体管元件。实施第一退火程序，该第一退火程序用来再结晶化(re-crystallize)该第一非结晶区及该第二非结晶区。在该第一退火程序后，实施第二退火程序。该应力产生层于该第二退火程序期间保持在该半导体衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 包括 具有 应力 信道 晶体管 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成半导体结构的方法，包括：提供半导体衬底，该半导体衬底包括第一晶体管元件及第二晶体管元件，该第一晶体管元件包括至少一个第一非结晶区，该第二晶体管元件包括至少一个第二非结晶区；在该第一晶体管元件之上形成应力产生层，其中，该应力产生层不覆盖该第二晶体管元件；实施第一退火程序，该第一退火程序用来再结晶化该第一非结晶区及该第二非结晶区；以及在实施该第一退火程序后，实施第二退火程序，其中，该应力产生层在该第二退火程序期间保持在该第一晶体管元件之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
