[发明专利]利用气体团簇离子束的固体表面加工方法有效
申请号: | 200780040678.0 | 申请日: | 2007-10-30 |
公开(公告)号: | CN101563759A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 铃木晃子;佐藤明伸;伊曼纽尔·布雷尔;松尾二郎;瀬木利夫 | 申请(专利权)人: | 日本航空电子工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种加工固体表面同时防止非平面结构的角落部分变形的方法。提供了一种用气体团簇离子束加工固体表面的方法,该方法包括:团簇保护层形成步骤,在固体表面上形成凹凸结构,该凹凸结构包括其顶部覆盖有团簇保护层的凸部和没有覆盖有团簇保护层的凹部;照射步骤,以气体团簇离子束照射具有在团簇保护层形成步骤中形成的非平面结构的固体表面;以及去除团簇保护层的去除步骤。团簇保护层的厚度T满足公式(I)的关系:(见图)其中n是气体团簇离子束的剂量,以及其中团簇保护层的蚀刻效率是指每个团簇的蚀刻体积Y(假定a和b为常数)。 | ||
搜索关键词: | 利用 气体 离子束 固体 表面 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种利用气体团簇离子束的固体表面加工方法,包括:团簇保护层形成步骤,在所述固体表面上形成具有凸部和凹部的凹凸结构,形成团簇保护层以覆盖所述凸部的上部,而所述凹部没有所述团簇保护层;照射步骤,发射所述气体团簇离子束到已在所述团簇保护层形成步骤中形成有所述凹凸结构的所述固体表面上;以及去除步骤,去除所述团簇保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本航空电子工业株式会社,未经日本航空电子工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780040678.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:生物传感器
- 下一篇:运用电磁推力的镜头驱动装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造