[发明专利]利用直线加速器的厚层转移的方法和结构

摘要

一种用一个或多个半导体衬底，如单晶硅、多晶硅、锗化硅、锗、III/IV族材料等制造自支撑材料厚度的方法。在特定实施方式中，本方法包括提供具有表面区和厚度的半导体衬底。该方法包括使半导体衬底的表面区经受用直线加速器生成的第一多个高能粒子，从而在剥离区内形成多个吸除点的区域，剥离区被提供在表面区下面从而限定待分离材料的厚度，半导体衬底被保持在第一温度。在特定实施方式中，该方法包括使半导体衬底的表面区经受用直线加速器生成的第二多个高能粒子，该第二多个高能粒子用来将剥离区的应力水平从第一应力水平提高到第二应力水平。在优选实施方式中，半导体衬底被保持在比第一温度高的第二温度。该方法采用剥离工艺，如受控的剥离工艺，来释放可分离的材料厚度。

主权项

1. 一种用一个或多个半导体衬底制造自支撑材料厚度的方法，包括：提供具有表面区和厚度的半导体衬底；使所述半导体衬底的所述表面区经受用直线加速器产生的第一多个高能粒子，从而在剥离区内形成多个吸除点的区域，所述剥离区被设置在所述表面区下面以限定待分离材料的厚度，所述半导体衬底被保持在第一温度；使所述半导体衬底经受处理工序；使所述半导体衬底的所述表面区经受用直线加速器产生的第二多个高能粒子，所述第二多个高能粒子设置为将所述剥离区的应力水平从第一应力水平提高到第二应力水平，所述半导体衬底被保持在第二温度；以及用剥离工艺释放所述可分离材料的厚度。