[发明专利]具有增强的电迁移可靠性的互连结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200780041313.X | 申请日： | 2007-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101536170A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 杨智超;王平川;王允愈 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 冯玉清 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有增强的电迁移(EM)可靠性的互连结构及其制造方法。本发明的互连结构通过至少部分地在金属互连内引入EM防止衬(66)而避免了EM失效导致的电路完全断开。在一实施例中，提供“U形”EM防止衬，其邻接将导电材料(64，68)与电介质材料(54B)分隔开的扩散阻挡层。在另一实施例中，一间隔位于U形”EM防止衬和扩散阻挡层之间。在又一实施例中，提供邻接扩散阻挡层的水平EM衬。在再一实施例中，一间隔存在于水平EM衬和扩散阻挡层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 迁移 可靠性 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种互连结构，包括：电介质材料(54B)，具有位于其中的至少一个导电填充特征(64)，其中所述至少一个导电填充特征包括电迁移防止衬(66)，该电迁移防止衬(66)至少部分地将所述至少一个导电填充特征的第一导电区域(64)与所述至少一个导电填充特征的第二导电区域(68)分隔开。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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