[发明专利]存储器的读增强有效
申请号: | 200780041404.3 | 申请日: | 2007-10-29 |
公开(公告)号: | CN101536106A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 塞德里克·马约尔 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G11C16/28 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 源;张天舒 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明提供了一种用于读取存储元件(ME)的电子电路。该电子电路包括与所述存储元件(ME)耦接的第一电子路径(IP);具有预定电特性的第二电子路径(RP);以及与第一电子路径(IP)和第二电子路径(RP)耦接的基本检测元件(BDE),使得基本检测元件(BDE)能基于在第一电子路径(IP)上传输的数字信号与在第二电子路径(RP)上传输的数字信号的关系来确定包含于所述存储元件(ME)中的信息。 | ||
搜索关键词: | 存储器 增强 | ||
【主权项】:
1. 一种电子器件,其包括用于读取存储元件(ME)的电子电路,该电路包括:第一电子路径(IP),其与所述存储元件(ME)耦接;第二电子路径(RP),其具有预定的电特性;基本检测元件(BDE),其与第一电子路径(IP)和第二电子路径(RP)耦接,使得所述基本检测单元(BDE)能基于在第一电子路径(IP)上传输的数字信号与在第二电子路径(RP)上传输的数字信号之间的关系确定包含于所述存储元件(ME)中的信息。
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