[发明专利]关联电子存储器有效
| 申请号： | 200780041664.0 | 申请日： | 2007-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101681911A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 卡洛斯·A·帕斯德阿劳若;马修·D·布鲁贝克;约兰塔·切林斯卡 | 申请（专利权）人： | 思美公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;吴亦华 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种非易失性电阻转换存储器，包含：由于电子之间的关联性，尤其是经由Mott转变，而导致在绝缘和导电状态之间变化的材料。所述材料结晶成为导电状态并且不需要进行电成型。 | ||
| 搜索关键词： | 关联 电子 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种电阻转换集成电路存储器，包括：包含关联电子材料(CEM)的电阻转换存储单元；写入电路，用于使所述电阻转换存储单元根据输入所述存储器中的信息而成为第一电阻状态或第二电阻状态，其中所述CEM的电阻在所述第二电阻状态中比在所述第一电阻状态中更高；和读取电路，用于感测所述存储单元的状态和提供对应于所述存储单元的感测状态的电信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
