[发明专利]用于电化学机械抛光NiP基底的方法和设备无效
| 申请号： | 200780041698.X | 申请日： | 2007-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101573212A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 李玉卓 | 申请（专利权）人： | 圣劳伦斯纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于微电子应用的电化学机械抛光(ECMP)的设备和方法。所述电化学机械抛光的设备和方法可以用于使NiP基底平坦化，所述基底用于磁存储介质和用于使得以受控的表面修整和一套相应的抛光电解液和浆液进行抛光的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电化学 机械抛光 nip 基底 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.用于抛光NiP基底的电化学机械抛光设备，其包括：(a)固定的支架，其中固定所述NiP基底；(b)在支架下方并与NiP基底接触的抛光垫，其中所述垫具有两层：(i)顶层，其是穿孔垫，所述穿孔垫使得抛光浆液或电解液与抛光垫的底层直接接触；和(ii)底层，其是导电的并用作阴极；(c)NiP基底，其用作阳极；和(d)电源。
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