[发明专利]自对准碰撞电离场效应晶体管有效
| 申请号： | 200780042618.2 | 申请日： | 2007-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101542737A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 吉尔贝托·库拉托拉;马克·范达尔;简·桑斯基 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 以垂直地而非横向地布置在器件结构中的从栅极到源区/漏区中之一的偏移来形成碰撞电离MOSFET。该半导体器件包括：具有第一掺杂浓度的第一源/漏区；具有第二掺杂浓度并具有与第一源/漏区相反的掺杂类型的第二源/漏区，第一源/漏区与第二源/漏区被掺杂浓度小于第一掺杂浓度和第二掺杂浓度中任一个的中间区横向隔开；栅极，其与中间区电绝缘并被布置在中间区的上方，第一源/漏区和第二源/漏区与栅极横向对准；其中与中间区形成边界的第一源/漏区的整个部分与中间区的顶部在垂直方向上隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 碰撞 电离 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件(20)，包括：第一源/漏区(21)，其具有第一掺杂浓度；第二源/漏区(22)，其具有第二掺杂浓度并具有与第一源/漏区相反的掺杂类型；第一源/漏区与第二源/漏区被掺杂浓度小于第一掺杂浓度和第二掺杂浓度中任一个的中间区(25)横向隔开；栅极(26)，其与中间区电绝缘并被布置在中间区的上方，第一源/漏区和第二源/漏区与栅极横向对准；其中与中间区形成了边界(21a)的第一源/漏区的整个部分与中间区的顶部(27)在垂直方向上隔开。
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