[发明专利]制造磁存储介质的方法有效
| 申请号： | 200780042824.3 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101558445A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 山本直志;山川洋幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 | 代理人： | 段迎春 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造磁存储介质的方法，改进了磁存储介质的平坦度。在衬底(11)上形成存储层(15)。接着，在存储层(15)上形成抗蚀剂掩模(R)。然后利用抗蚀剂掩模(R)在存储层(15)中形成凹坑(H)。此后，在凹坑(H)中和抗蚀剂掩模(R)上形成厚度与凹坑(H)的深度相对应的非磁性层(16)。随后，从存储层(15)去除抗蚀剂掩模(R)和形成在抗蚀剂掩模(R)上的非磁性层(16)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 存储 介质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造磁存储介质的方法，包括：在衬底上形成磁性层的磁性层形成步骤；在所述磁性层上形成抗蚀剂掩模的掩模形成步骤；利用所述抗蚀剂掩模在所述磁性层中形成凹坑的凹坑形成步骤；在所述凹坑中和所述抗蚀剂掩模上，形成厚度与所述凹坑的深度相对应的非磁性层的非磁性层形成步骤；以及将沉积在所述抗蚀剂掩模上的所述非磁性层和所述抗蚀剂掩模一起从所述磁性层去除的抗蚀剂去除步骤。
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