[发明专利]在脉冲RF偏置处理中测量和控制晶片电势的方法和装置有效

专利信息
申请号: 200780043046.X 申请日: 2007-09-14
公开(公告)号: CN101542857A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 安德拉斯·库蒂;斯蒂文·黄;詹姆斯·C·维特尔;格雷格·艾伦施泰因;图安·恩戈;王荣彬 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H01T23/00 分类号: H01T23/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余 刚;吴孟秋
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供设备和方法以检测和控制施加在等离子室(40)中用以处理半导体晶片(46)的电势(68)。该等离子室包括电路(82),用以监测和调节待施加到该等离子室内的卡盘(66)的脉冲化RF偏压信号(68),其中该卡盘配置为安装该晶片用于处理。进一步包括的是反馈电路,用以根据该反馈信号和该RF偏压信号所需的电压值之间的差调节施加到该卡盘的脉冲化RF偏压信号的电压。
搜索关键词: 脉冲 rf 偏置 处理 测量 控制 晶片 电势 方法 装置
【主权项】:
1.一种在处理半导体晶片的等离子室中用以监测和调节待施加到等离子室中的卡盘的脉冲化RF偏压信号的电路,该卡盘配置为安装晶片以用于处理,该电路包括:RF偏压检波器,用以检测施加到该卡盘的脉冲化RF偏压信号的单个脉冲;定时电路,用以确定采样每个单个被检脉冲的时间;采样和保持电路,在采样每个单个被检脉冲的采样时间触发以确定和保持表示每个单个被检脉冲的特征峰间电压值的电压值,其中该采样保持电路配置为提供表示至少一个被检脉冲的特征峰间电压值的反馈信号;和反馈电路,用以根据该反馈信号和该RF偏压信号所需的电压之间的差调节施加到该卡盘的脉冲化RF偏压信号的电压。
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