[发明专利]晶体生长用反应器无效
| 申请号： | 200780043070.3 | 申请日： | 2007-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101553606A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 克劳迪欧·波洛西;维多利奥·泊泽缇;纳塔莱·斯佩恰莱;杰安卢卡·瓦伦特;索尼亚·德·安吉利斯;丹尼罗·克里帕;弗兰科·佩雷蒂 | 申请（专利权）人： | LPE公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B25/10;C30B29/36;C30B29/40;C23C16/32;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 意大*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本发明涉及一种反应器(1)，其用于材料的晶体生长、特别是碳化硅或三族元素氮化物的晶体生长；该反应器包括：室(2)，其被分成第一区域(21)和第二区域(22)，所述分隔是通过具有至少一个开口(31)的分隔壁(3)来实现的，所述至少一个开口(31)使所述第一和第二区域(21，22)相互连通；适于向所述第一区域(21)供给所述材料的至少一种前体气体的注入部件(41和42)；适于从所述第二区域(22)排出废气的排气部件(5)；位于所述第二区域(22)中并且适于支撑生长晶体的支撑部件(6)；以及适于将所述第一区域和第二区域(21，22)保持在2000℃和2600℃之间的温度的加热部件(71，72)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 反应器 | ||
【主权项】：
1.一种反应器(1)，其用于材料的晶体生长、特别是碳化硅或三族元素氮化物的晶体生长，该反应器包括：室(2)，其被分成第一区域(21)和第二区域(22)，所述分隔是通过具有至少一个开口(31，32)的分隔壁(3)来实现的，所述至少一个开口(31，32)使所述第一和第二区域(21，22)相互连通；适于向所述第一区域(21)供给所述材料的至少一种前体气体的注入部件(41，42)；适于将废气从所述第二区域(22)排出的排气部件(5)；位于所述第二区域(22)中并且适于支撑生长晶体的支撑部件(6)；以及适于将所述第一和第二区域(21，22)保持在2000℃和2600℃之间的温度的加热部件(71，72)。
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