[发明专利]制造使用氧化物半导体的薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 200780043183.3 | 申请日： | 2007-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101548388A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 板垣奈穗;岩崎达哉;田透 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管包含具有氧化铟的沟道层(11)，该方法包括形成氧化铟膜作为沟道层，并在氧化气氛中使形成的氧化铟膜进行退火。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 使用 氧化物 半导体 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管包括包含氧化铟的沟道层，该方法包括形成要成为所述沟道层的氧化铟膜，并在氧化气氛中对形成的氧化铟膜进行退火。
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