[发明专利]改善离子束传送的技术有效
| 申请号： | 200780043233.8 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101563750A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 维克多·本夫尼斯特 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/05 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国麻*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开一种用于改善离子植入的技术。在一特定例示性实施例中，可如下来实现所述技术，一种离子植入系统包括：离子源，用于产生离子束；质量分析器，用于从离子束中的离子粒子中选择所要离子种类；离子减速器，经配置以减少离子束中的离子的能量；终端站，用于支撑将利用来自离子束的离子进行植入的至少一工件；以及中性粒子分离器，经配置以在离子束到达离子减速器之前从离子束中移除带中性电荷的粒子。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 离子束 传送 技术 | ||
【主权项】：
1、一种离子植入系统，其特征在于包括：离子源，用于产生离子束；质量分析器，用于从所述离子束中的离子粒子中选择所要离子种类；离子减速器，经配置以减少所述离子束中的离子的能量；终端站，用于支撑将利用来自所述离子束的离子进行植入的至少一工件；以及中性粒子分离器，经配置以在所述离子束到达所述离子减速器之前从所述离子束中移除带中性电荷的粒子。
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