[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 200780043399.X | 申请日: | 2007-12-20 |
公开(公告)号: | CN101542704A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 葛西正树;奥村弘守 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 刘 建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的半导体装置,包括:半导体芯片;形成于所述半导体芯片的表面的电连接用的内部焊盘;表面保护膜,其覆盖所述半导体芯片上的表面,具有使所述内部焊盘露出的焊盘开口;应力缓和层,其形成于所述表面保护膜上,具有使从所述焊盘开口露出的所述内部焊盘露出的开口部;具备埋设部及突出部的连接焊盘,所述埋设部埋设于所述焊盘开口及所述开口部,与所述内部焊盘连接,所述突出部和所述埋设部一体地形成,突出于所述应力缓和层上,具有比所述开口部的开口宽度大的宽度;以及金属球,其以覆盖所述连接焊盘的所述突出部的方式形成,用于与外部的电连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1、一种半导体装置,其特征在于,包括:半导体芯片;内部焊盘,其形成于所述半导体芯片的表面,用于电连接;表面保护膜,其覆盖所述半导体芯片上的表面,具有使所述内部焊盘露出的焊盘开口;应力缓和层,其形成于所述表面保护膜上,具有使从所述焊盘开口露出的所述内部焊盘露出的开口部;连接焊盘,其具备埋设部及突出部,所述埋设部埋设于所述焊盘开口及所述开口部,与所述内部焊盘连接,所述突出部与所述埋设部一体形成,突出于所述应力缓和层上,具有比所述开口部的开口宽度大的宽度;以及金属球,其以覆盖所述连接焊盘的所述突出部的方式形成,用于与外部的电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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