[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 200780043399.X 申请日: 2007-12-20
公开(公告)号: CN101542704A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 葛西正树;奥村弘守 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 刘 建
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的半导体装置,包括:半导体芯片;形成于所述半导体芯片的表面的电连接用的内部焊盘;表面保护膜,其覆盖所述半导体芯片上的表面,具有使所述内部焊盘露出的焊盘开口;应力缓和层,其形成于所述表面保护膜上,具有使从所述焊盘开口露出的所述内部焊盘露出的开口部;具备埋设部及突出部的连接焊盘,所述埋设部埋设于所述焊盘开口及所述开口部,与所述内部焊盘连接,所述突出部和所述埋设部一体地形成,突出于所述应力缓和层上,具有比所述开口部的开口宽度大的宽度;以及金属球,其以覆盖所述连接焊盘的所述突出部的方式形成,用于与外部的电连接。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1、一种半导体装置,其特征在于,包括:半导体芯片;内部焊盘,其形成于所述半导体芯片的表面,用于电连接;表面保护膜,其覆盖所述半导体芯片上的表面,具有使所述内部焊盘露出的焊盘开口;应力缓和层,其形成于所述表面保护膜上,具有使从所述焊盘开口露出的所述内部焊盘露出的开口部;连接焊盘,其具备埋设部及突出部,所述埋设部埋设于所述焊盘开口及所述开口部,与所述内部焊盘连接,所述突出部与所述埋设部一体形成,突出于所述应力缓和层上,具有比所述开口部的开口宽度大的宽度;以及金属球,其以覆盖所述连接焊盘的所述突出部的方式形成,用于与外部的电连接。
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