[发明专利]集成无闭锁绝缘栅极双极晶体管有效
| 申请号： | 200780043578.3 | 申请日： | 2007-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101553932A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 蔡军 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/70 | 分类号： | H01L29/70;H01L29/73 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孟 锐 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种横向绝缘栅极双极晶体管(LIGBT)包含半导体衬底和所述半导体衬底中的阳极区。所述衬底中的第一导电型的阴极区与所述阳极区横向间隔开，且所述衬底中的第二导电型的阴极区位于所述第一导电型的所述阴极区附近且位于其与所述阳极区相对的一侧上。所述半导体衬底中的漂移区在所述阳极区与所述第一导电型的所述阴极区之间延伸。绝缘栅极操作地耦合到所述第一导电型的所述阴极区，且位于所述第一导电型的所述阴极区的与所述阳极区相对的一侧上。绝缘间隔物上覆于所述第二导电型的所述阴极区上。所述绝缘间隔物和所述第二导电型的所述阴极区的横向尺寸大体相等且大体小于所述第一导电型的所述阴极区的横向尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 闭锁 绝缘 栅极 双极晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种横向绝缘栅极双极晶体管(LIGBT)装置，其包括：半导体衬底；所述半导体衬底中的阳极区；所述衬底中的第一导电型的阴极区，其与所述阳极区横向间隔开；所述衬底中的第二导电型的阴极区，其位于所述第一导电型的所述阴极区附近且位于其与所述阳极区相对的一侧上；所述半导体衬底中的漂移区，其在所述阳极区与所述第一导电型的所述阴极区之间；绝缘栅极，其操作地耦合到所述第一导电型的所述阴极区，且位于所述第一导电型的所述阴极区的与所述阳极区相对的一侧上；以及绝缘间隔物，其上覆于所述第二导电型的所述阴极区上；其中所述绝缘间隔物和所述第二导电型的所述阴极区的横向尺寸大体相等且大体小于所述第一导电型的所述阴极区的横向尺寸。
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