[发明专利]非晶碳膜、半导体装置、成膜方法、成膜装置和存储介质无效
| 申请号： | 200780044435.4 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101548368A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 菊地良幸;小林保男;川村刚平;野沢俊久;石川拓 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;C23C16/26;H01L21/31;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种在较低地抑制相对介电常数的同时弹性模量高、并且热收缩率小的非晶碳膜和具备该膜的半导体装置、以及成膜非晶碳膜的技术。在成膜时一边控制Si(硅)的添加量一边成膜非晶碳膜。因此，可得到在将相对介电常数抑制在3.3以下的较低值的同时弹性模量高、并且热收缩率小的非晶碳膜。因而在将该非晶碳膜用作构成半导体装置的膜的情况下，膜脱落等不良情况被抑制。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶碳膜 半导体 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
1. 一种非晶碳膜，其特征在于，其含有氢和碳、并添加硅而成膜，所述非晶碳膜的相对介电常数为3.3以下。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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