[发明专利]低蚀刻性光刻胶清洗剂无效
| 申请号： | 200780044674.X | 申请日： | 2007-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101548241A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 刘兵;彭洪修;史永涛 | 申请（专利权）人： | 安集微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/02;C23G1/06;C11D1/83 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203中国上海市浦东新区张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光刻胶清洗剂，包含：季胺氢氧化物，式I所示的烷基二醇芳基醚或其衍生物，和式II所示的苯乙酮或其衍生物；其中，R1为含6-18个碳原子的芳基；R2为H、C1-C18的烷基或含有6-18个碳原子的芳基；m＝2-6；n＝1-6；R5和R6为H、羟基、C1-C2的烷基、C1-C2的烷氧基或C1-C2的羟烷基。该清洁剂用于去除金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶或其它残留物。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 光刻 洗剂 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安集微电子(上海)有限公司，未经安集微电子(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780044674.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
