[发明专利]碳化硅单晶的制造方法有效
| 申请号： | 200780044779.5 | 申请日： | 2007-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN101553604A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 庄内智博;小古井久雄;坂口泰之 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田 欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种碳化硅单晶的制造方法，在晶体生长坩埚(6)中设有低温部和高温部，在该晶体生长坩埚的低温部配置由碳化硅单晶形成的晶种基板，在高温部配置碳化硅原料，使由碳化硅原料升华的升华气体在晶种基板上析出，使碳化硅单晶生长，其特征在于，配置晶种的部位的坩埚部件使用与碳化硅在室温下的线膨胀系数之差为1.0×10-6/开尔文以下的部件，此外，作为配置晶种的部位的坩埚部件使用碳化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅单晶的制造方法，在晶体生长坩埚中设有低温部和高温部，在该晶体生长坩埚的低温部配置由碳化硅单晶形成的晶种基板，在高温部配置碳化硅原料，使由碳化硅原料升华的升华气体在晶种基板上析出，使碳化硅单晶生长，其特征在于，配置晶种的部位的坩埚部件使用与碳化硅在室温下的线膨胀系数之差为1.0×10-6/开尔文以下的部件。
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