[发明专利]提供具有漂移增强沟道的金属氧化物半导体装置的方法和系统无效
| 申请号： | 200780045072.6 | 申请日： | 2007-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101548370A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 达尔文·吉恩·伊尼克斯 | 申请（专利权）人： | 爱特梅尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孟 锐 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述一种提供金属氧化物半导体(MOS)装置的方法和系统。所述方法和系统包含提供源极、漏极和位于所述源极与所述漏极之间的沟道。所述沟道的至少一部分包含合金层，所述合金层包含具有渐变浓度的杂质。所述方法和系统还包含提供栅极电介质和栅电极。所述栅极电介质的至少一部分位于所述合金层上方。所述栅极电介质位于所述合金层与所述栅电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 具有 漂移 增强 沟道 金属 氧化物 半导体 装置 方法 系统 | ||
【主权项】：
1. 一种金属氧化物半导体(MOS)装置，其包括：源极；漏极；位于所述源极与所述漏极之间的沟道，所述沟道的至少一部分包含合金层，所述合金层包含具有渐变浓度的杂质；栅极电介质，所述栅极电介质的至少一部分位于所述合金层上方；以及栅电极，所述栅极电介质位于所述合金层与所述栅电极之间。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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