[发明专利]功率半导体器件

摘要

功率半导体器件(1)包括具有第一导电类型的第一层(2)，该第一层(2)具有第一主要侧(21)以及与第一主要侧(21)相对的第二主要侧(22)。具有第二导电类型的第二层(3)被设置在第一主要侧(21)的中心区域中，并且第四导电层(4)被设置在第二层(3)上。在第二主要侧(22)上先设置了第三层(5)，之后设置了第五导电层(6)，所述第三层(5)具有第一导电类型的第一区(1)，其掺杂比第一层(2)的掺杂要高。第二层(3)和第一区(51)之间的区域限定了有源区域(9)。第三层(5)包括具有第二导电类型的至少一个第二区(52)，该第二区(52)被设置在与第一区(51)相同的平面中。具有第一导电类型的第六层(10)被设置在至少一个第二区(52)和第一层(2)之间，所述第六层(10)的掺杂低于第一区(51)的掺杂但高于第一层(2)的掺杂。

主权项

1.功率半导体器件(1)，具有第一导电类型的第一层(2)，第二导电类型的第二层(3)，第四导电层(4)，第三层(5)和第五导电层(6)，所述第一层(2)具有第一主要侧(21)以及与所述第一主要侧(21)相对的第二主要侧(22)；所述第二层(3)被设置在所述第一主要侧(21)的中心区域中；所述第四导电层(4)被设置在所述第二层(3)上的与第一层(2)相对的那一侧上；所述第三层(5)被设置在所述第二主要侧(22)上，并且所述第三层(5)包括具有掺杂高于第一层(2)的掺杂的第一导电类型的第一区(51)；所述第五导电层(6)被设置在第三层(5)上的与第一层(2)相对的那一侧上，所述第二层(3)和所述第一区(51)之间的区域限定了有源区域(9，9’，9”，9”’)，其特征在于，所述第三层(5)包括具有第二导电类型的第二区(52)，该第二区(52)被设置在与所述第一区(51)相同的平面中，并且所述第二区(52)完全围绕第一区(51)；其特征在于，具有第一导电类型的第六层(10)的掺杂低于所述第一区(51)的掺杂而高于所述第一层(2)的掺杂，并且所述第六层(10)被设置在至少一个第二区(52)和所述第一层(2)之间；以及其特征在于，所述第五导电层(6)完全覆盖所述第三层(5)的位于与所述第一层(2)相对的那一侧。