[发明专利]用于制造碳纳米结构材料的复合催化剂和方法有效
申请号: | 200780045156.X | 申请日: | 2007-09-26 |
公开(公告)号: | CN101952036A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 维塞林·N·沙诺夫;安德鲁·戈顿;尹汝兴;马克·J·舒尔茨 | 申请(专利权)人: | 辛辛那提大学 |
主分类号: | B01J23/63 | 分类号: | B01J23/63;B01J35/00;B01J37/02;B01J37/08;B01J37/34;C01B31/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了一种在衬底上形成碳纳米管的方法。该方法的一个实施例包括:在该衬底上沉积复合催化剂层,氧化该复合催化剂层,还原该氧化的复合催化剂层,以及在该复合催化剂层上生长阵列。该复合催化剂层可包括由合金沉积到该衬底上的VIII族元素和非催化元素。在另一实施例中,该复合催化剂层包括铁和镧系元素的交替层,该镧系元素优选为钆或镧。该复合沉积层可再次用于生长多个碳纳米管阵列,而不额外处理该衬底。该方法可包括通过在多个颗粒衬底上形成碳纳米管的体合成,该颗粒衬底具有包含VIII族元素和非催化元素的复合催化剂层。在另一实施例中,该复合催化剂层沉积在衬底的两面上。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 纳米 结构 材料 复合 催化剂 方法 | ||
【主权项】:
一种在衬底上形成多个碳纳米管的方法,包括:在所述衬底上沉积复合催化剂层,其中所述复合催化剂层包括VIII族元素和非催化元素,所述非催化元素包括本身不催化纳米管生长的金属;氧化所述复合催化剂层,以形成氧化的复合催化剂层;还原所述氧化的复合催化剂层,以形成还原的复合催化剂层;以及在所述还原的复合催化剂层上生长所述碳纳米管。
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