[发明专利]包括嵌入组件和间隔层的微电子衬底及其形成方法有效
| 申请号： | 200780045471.2 | 申请日： | 2007-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101553904A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | I·萨拉玛;H·西赫 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 微电子衬底、它的形成方法和包括它的系统。微电子衬底包括：导电层；设置在导电电介质层上的间隔层；设置在间隔层上的电介质构造层，该间隔层由在固化期间其收缩量低于嵌入电介质构造层材料且在其预固化形式和固化期间其粘性高于嵌入电介质构造层材料的材料制成；以及嵌入在电介质构造层中的有源或无源微电子组件。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 嵌入 组件 间隔 微电子 衬底 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微电子衬底包括：导电层；设置在导电电介质层上的间隔层；设置在所述间隔层上的电介质构造层，所述间隔层由在固化期间其收缩量低于嵌入电介质构造层材料且在其预固化形式和固化期间其粘性高于所述嵌入电介质构造层材料的材料制成；以及嵌入在所述电介质构造层中的有源或无源微电子组件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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