[发明专利]包括与无源嵌入式结构的顶部导电层的桥接互连的微电子器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200780045954.2 | 申请日： | 2007-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101563963A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | I·萨拉马;H·谢;Y·闵 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H05K3/42 | 分类号： | H05K3/42;H05K3/46 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛;王 英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种微电子器件、制造该器件的方法和包括该器件的系统。该器件包括：包括聚合物内置层的基板以及嵌入该基板中的无源结构。该无源结构包括位于聚合物内置层上的顶部导电层、位于顶部导电层上的电介质层和位于电介质层上的底部导电层。该器件还包括延伸穿过聚合物内置层并与底部导电层电绝缘的导电通孔、使导电通孔与底部导电层绝缘的绝缘材料以及设置于该顶部导电层背对电介质层的一侧上的桥接互连，该桥接互连将导电通孔电连接到顶部导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 无源 嵌入式 结构 顶部 导电 互连 微电子 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种微电子器件，包括：包括聚合物内置层的基板；无源结构，其嵌入在所示基板中并包括：位于所述聚合物内置层上的底部导电层；位于所述底部导电层上的电介质层；位于所述电介质层上的顶部导电层；导电通孔，其延伸穿过所述聚合物内置层并与所述底部导电层电绝缘；绝缘材料，其使所述导电通孔与所述底部导电层绝缘；以及桥接互连，其设置于所述顶部导电层背对所述电介质层的一侧，所述桥接互连将所述导电通孔电连接到所述顶部导电层。
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