[发明专利]针对高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)的RF衬底偏压有效
| 申请号： | 200780046153.8 | 申请日： | 2007-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101589451A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | J·韦查特;S·卡德莱克 | 申请（专利权）人： | OC欧瑞康巴尔斯公司 |
| 主分类号： | H01J37/34 | 分类号： | H01J37/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王洪斌;蒋 骏 |
| 地址： | 列支敦士*** | 国省代码： | 列支敦士登;LI |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于以磁控管阴极上的0.1与10A/cm2之间的电流密度产生靶溅射以在衬底上生成涂层的设备。所述设备包括可操作地连接到磁控管的电源以及可操作地连接到电源的至少一个电容器。还提供了第一开关。第一开关可操作地将电源连接到磁控管以对磁控管进行充电，并且第一开关被配置为根据第一脉冲来对磁控管进行充电。电偏压装置可操作地连接到衬底并被配置为施加衬底偏压。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 功率 脉冲 磁控溅射 hipims rf 衬底 偏压 | ||
【主权项】：
1.一种用于以磁控管阴极上的0.1与10A/cm2之间的电流密度产生靶的溅射以在衬底上生成涂层的设备，所述设备包括：电源，其可操作地连接到磁控管；至少一个电容器，其可操作地连接到电源；第一开关，其可操作地将电源连接到磁控管以对磁控管进行充电并且被配置为用于管理到磁控管的第一脉冲；以及电偏压装置，其可操作地连接到衬底并且被配置为施加衬底偏压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于OC欧瑞康巴尔斯公司，未经OC欧瑞康巴尔斯公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780046153.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：含枸杞颗粒的液态乳制品及其生产方法
- 下一篇：一种中草药鸡的饲养方法
