[发明专利]互连结构和制造嵌入结构的方法有效
| 申请号： | 200780046332.1 | 申请日： | 2007-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101558476A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 耶兹迪·多尔迪;约翰·M·博伊德;弗里茨·C·雷德克;威廉·蒂;蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜;衡石·亚历山大·尹 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 吴贵明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种互连结构，该结构包括电介质材料层，该电介质材料层具有至少一个开口以及在限定该开口的侧壁上的第一阻障层。含钌并含氧的第二阻障层覆盖在该第一阻障层上，该第二阻障层具有钌区、氧化钌区和钌富集区。该钌区被置于该第一阻障层和该氧化钌区之间，且该氧化钌区被置于该钌区和该钌富集区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制造 嵌入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构，包含：具有至少一个开口的电介质材料层；在限定该开口的侧壁上的第一阻障层；以及覆盖在该第一阻障层上的含钌并含氧的第二阻障层，该第二阻障层具有钌区、氧化钌区和钌富集区，该钌区被置于该第一阻障层和该氧化钌区之间，且该氧化钌区被置于该钌区和该钌富集区之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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