[发明专利]减少等离子体辐射源中的快离子无效

专利信息
申请号: 200780046938.5 申请日: 2007-12-19
公开(公告)号: CN101569243A 公开(公告)日: 2009-10-28
发明(设计)人: V·V·伊万诺夫;V·Y·班尼恩;K·N·科什烈夫 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: H05G2/00 分类号: H05G2/00;G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王新华
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种减少等离子体辐射源中的快离子的方法。本发明公开一种具有阳极和阴极的辐射源以在阳极和阴极之间的放电空间内产生放电。在辐射源中形成等离子体,这产生例如EUV辐射的电磁辐射。辐射源包括第一激活源以将第一能量脉冲引导到放电空间附近的辐射源中的第一点上,以产生触发放电的主等离子体通道。辐射源还具有第二激活源以将第二能量脉冲引导到放电空间附近的辐射源中的第二点上,以便产生附加的等离子体通道。通过在同一的放电期间引导第二能量脉冲,实现主等离子体电流的短接,这又会减小快离子产生的量。
搜索关键词: 减少 等离子体 辐射源 中的 离子
【主权项】:
1.一种辐射源,包括:阳极和阴极,构造并配置成在所述阳极和所述阴极之间的放电空间内的物质中产生放电,以及构造并配置成形成等离子体以便产生电磁辐射;第一激活源,设置成将第一能量脉冲引导到所述放电空间附近的所述辐射源中的第一点上,以便产生触发所述放电的主等离子体通道;和第二激活源,设置成将第二能量脉冲引导到所述放电空间附近的辐射源中的第二点上,以便产生附加的等离子体通道,所述第二点是与所述第一点不同的点,并且所述第二激活源设置用以在所述放电期间产生所述第二能量脉冲。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780046938.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top