[发明专利]氮化物半导体自立基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200780048302.4 | 申请日： | 2007-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101573480A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 高见泽彰一;渡边政孝 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/01;H01L21/304;H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体自立基板的制造方法、及通过该制造方法所制造的氮化物半导体自立基板，该氮化物半导体自立基板的制造方法，是用以从1片晶种基板制造2片氮化物半导体自立基板，至少包含以下工艺：准备工艺，其是准备成为晶种基板的氮化物半导体自立基板；外延成长工艺，其是在上述晶种基板上使与该晶种基板同种的氮化物半导体进行外延成长；及切片工艺，其是将已进行上述外延成长后的外延成长基板，与外延成长面平行地切割来加以2分割。由此，提供一种方法，能够生产力良好且低成本地制造出结晶品质优良、且歪斜小的大口径氮化物半导体自立基板。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 自立 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体自立基板的制造方法，其特征在于：从1片晶种基板制造2片氮化物半导体自立基板，至少包含以下工艺：准备工艺，其是准备成为晶种基板的氮化物半导体自立基板；外延成长工艺，其是在上述晶种基板上，使与该晶种基板同种的氮化物半导体进行外延成长；及切片工艺，其是将已进行上述外延成长后的外延成长基板，与外延成长面平行地切割来加以2分割。
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