[发明专利]半导体层的制造方法和半导体层制造装置以及使用它们制造的半导体器件有效
| 申请号： | 200780048631.9 | 申请日： | 2007-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101573782A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 岸本克史;福冈裕介 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛 青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体层的制造方法和半导体层制造装置以及使用它们制造的半导体器件。通过该半导体层的制造方法，能够缩短在形成半导体层之前用于降低反应室内存在的杂质浓度的处理时间，利用单室方式也能够形成优质的半导体层。本发明半导体层的制造方法在能够密闭的反应室(101)内部来形成半导体层，包括：使用置换气体来除去反应室(101)内部杂质的杂质除去工序、形成半导体层的半导体层形成工序，杂质除去工序是把由向反应室(101)内部导入置换气体的置换气体导入工序和把置换气体排出的排气工序构成的循环反复进行多次的工序，杂质除去工序至少在半导体层形成工序之前进行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 装置 以及 使用 它们 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体层的制造方法，在能够密闭的反应室(101)内部来形成半导体层(207)，其中，包括：使用置换气体来除去所述反应室(101)内部的杂质的杂质除去工序、形成所述半导体层(207)的半导体层形成工序，所述杂质除去工序是将如下循环反复进行多次的工序，该循环由向所述反应室(101)内部导入置换气体的置换气体导入工序和将所述置换气体排出的排气工序构成，所述杂质除去工序至少在半导体层形成工序之前进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
