[发明专利]活性区域带有具有能量阱的纳米结构的太阳能电池无效

专利信息
申请号: 200780048752.3 申请日: 2007-12-28
公开(公告)号: CN101589474A 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 詹姆斯·C·金;李圣秀 申请(专利权)人: 桑迪奥德公司
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 刘国伟
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供一种用于具有渐变能量阱的太阳能电池的方法及设备。所述太阳能电池的活性区域包含纳米结构。所述纳米结构由包含III-V化合物半导体及改变所述III-V化合物半导体的带隙的元素的材料形成。举例来说,所述III-V化合物半导体可以是氮化镓(GaN)。作为实例,所述“带隙改变元素”可以是铟(In)。所述铟在所述活性区域中的浓度是不均匀的,使得所述活性区域具有由阻挡层分离的若干能量阱。所述能量阱可以是“渐变的”,由此意指所述能量阱彼此具有不同的带隙,其通常从一个阱向另一个阱单调地增加或减小。
搜索关键词: 活性 区域 带有 具有 能量 纳米 结构 太阳能电池
【主权项】:
1、一种太阳能电池,其包含:活性区域,其中所述活性区域包含由以下形成的多个纳米结构:III-V化合物半导体;及带隙改变元素,其并入到所述化合物半导体中;其中所述带隙改变元素的浓度是不均匀的,从而在所述纳米结构中的每一者中产生多个段,其中所述段中的每一者具有带隙;其中特定段的所述带隙由所述带隙改变元素的浓度建立;且其中所述带隙改变元素的浓度在整个所述活性区域中是不均匀的,从而产生不同能级的能量阱。
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