[发明专利]用于防止等离子体抑制物质形成的方法和装置无效
申请号: | 200780049138.9 | 申请日: | 2007-12-03 |
公开(公告)号: | CN101583738A | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
发明(设计)人: | F·G·托马塞拉;J·莫克;A·沙巴林;D·M·肖;J·J·冈萨雷斯 | 申请(专利权)人: | 先进能源工业公司 |
主分类号: | C23C16/453 | 分类号: | C23C16/453 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 杨胜军;蔡洪贵 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了一种防止在等离子体腔内形成等离子体抑制物质的系统和方法。在一个实施例中,一种装置包括构造为布置于等离子体腔内的阻挡部件。阻挡部件包括限定在此处从流体形成化学还原物质的等离子体形成区域的壁。壁的一部分由对于化学还原物质基本上惰性的物质构成。壁防止化学还原物质与等离子体腔的内表面相互作用从而形成传导性物质。阻挡部件还包括与等离子体形成区域流体相通的开口。流体经由开口引入等离子体形成区域。 | ||
搜索关键词: | 用于 防止 等离子体 抑制 物质 形成 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种装置,其包括:构造为布置于等离子体腔内的阻挡部件,所述阻挡部件具有:用于限定等离子体形成区域的壁,在所述等离子体形成区域处从流体点火化学还原物质,所述壁的至少一部分由对于化学还原物质基本上惰性的物质构成,所述壁防止化学还原物质形成传导性物质;以及与所述等离子体形成区域流体相通的开口,流体经由所述开口引入所述等离子体形成区域。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的