[发明专利]光学器件无效
申请号: | 200780049354.3 | 申请日: | 2007-11-23 |
公开(公告)号: | CN101636846A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 马丁·奥格森 | 申请(专利权)人: | 哥本哈根大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0304;H01L33/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 炜;李德山 |
地址: | 丹麦哥*** | 国省代码: | 丹麦;DK |
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摘要: | 本发明涉及光学器件及其制造方法。在实施例中,本发明涉及光伏器件或太阳能电池。所述光学器件包括第一电极及第二电极以及布置在所述第一电极与所述第二电极之间的有源元件。所述有源元件包含从所述第一电极起沿纵向延伸并与所述第一电极及所述第二电极相接触的多个半导体结构;所述有源元件包含np结。对于所述半导体结构,该结构的至少一部分大体上是板形或片形。在实施例中,所述半导体结构的至少一个特征尺度在纳米范围内。 | ||
搜索关键词: | 光学 器件 | ||
【主权项】:
1.一种光学器件,包括:-第一电极;-第二电极,所述第一电极或所述第二电极在第一波长范围内是至少部分地透明的;-有源元件,其布置在所述第一电极与所述第二电极之间;该有源元件包含从所述第一电极起沿纵向延伸并与所述第一电极及所述第二电极相接触的多个半导体结构;该有源元件包含np结;并且其中,所述半导体结构的高度沿所述纵向,并且宽度及厚度沿所述纵向的正交方向,并且其中,所述半导体结构的至少一部分大体上是板形,其中,在位于所述半导体结构的至少所述部分的下半部处的部分处,宽度充分地大于厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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