[发明专利]太阳能电池的制造方法有效
| 申请号： | 200780049395.2 | 申请日： | 2007-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101573801A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 西本阳一郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李 帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其能够以简单的制造工序制造高特性的太阳能电池，其为在硅基板的表面上具有纹理的太阳能电池的制造方法，其特征在于，具备：第一工序，将硅基板浸渍在含有金属离子的氧化剂和氢氟酸的混合水溶液中，在该硅基板的表面形成多孔质硅层；第二工序，将经过上述第一工序的硅基板表面浸渍在以氢氟酸及硝酸为主的混合酸中进行蚀刻而形成纹理。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、太阳能电池的制造方法，其为在硅基板的表面具有纹理的太阳能电池的制造方法，其特征在于，具备：第一工序，将硅基板浸渍在含有金属离子的氧化剂和氢氟酸的混合水溶液中，在该硅基板表面形成多孔质层；第二工序，将经过所述第一工序的硅基板表面浸渍在以氢氟酸及硝酸为主的混合酸中进行蚀刻而形成纹理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
