[发明专利]制造包括用于向掩埋层提供低电阻接触的注入区的半导体器件的方法和相关器件

摘要

制造半导体器件的方法包括：形成具有第一掺杂剂浓度的第一导电类型的第一半导体层；以及在第一半导体层上形成第二半导体层。第二半导体层具有小于第一掺杂剂浓度的第二掺杂剂浓度。将离子注入第二半导体层，以便形成贯穿第二半导体层以接触第一半导体层的第一导电类型的注入区。第一电极在第二半导体层的注入区上形成，以及第二电极在第二半导体层的非注入区上形成。还论述了相关器件。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成具有第一掺杂剂浓度的第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成第二半导体层，所述第二半导体层具有小于所述第一掺杂剂浓度的第二掺杂剂浓度；将离子注入所述第二半导体层，以便形成贯穿所述第二半导体层以接触所述第一半导体层的所述第一导电类型的注入区；在所述第二半导体层的所述注入区上形成第一电极；以及在所述第二半导体层中与所述注入区间隔开的非注入区上形成第二电极。