[发明专利]微芯片、以及微芯片的制造方法有效

专利信息
申请号: 200780049697.X 申请日: 2007-11-13
公开(公告)号: CN101589311B 公开(公告)日: 2016-11-23
发明(设计)人: 平山博士 申请(专利权)人: 柯尼卡美能达精密光学株式会社
主分类号: G01N35/08 分类号: G01N35/08;B01J19/00;G01N37/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种微芯片以及微芯片的制造方法,通过填埋在微芯片中形成的开口部附近的衬底间的间隙而可以防止试剂等的泄漏。该微芯片构成为具有微芯片衬底(10)和微芯片衬底(14)。在微芯片衬底(10)中形成有槽状的微细流路(11)和贯通孔,通过将微芯片衬底(10)和微芯片衬底(14)接合起来而制造微芯片。开口部(12)与微细流路(11)连接,通过开口部(12)进行试剂等的导入或试剂等的排出等。在开口部(12)的内表面上形成电解质膜(13)。电介质膜(13)使用SiO2膜或TiO2膜。
搜索关键词: 芯片 以及 制造 方法
【主权项】:
一种微芯片,在两个树脂制衬底中的至少一个树脂制衬底的表面上形成有流路用槽,而且,在上述两个树脂制衬底中的至少一个树脂制衬底上形成有与上述流路用槽连通而形成与外部的开口部的贯通孔,上述两个树脂制衬底以形成有上述流路用槽的面为内侧地接合起来,该微芯片具有上述开口部和与上述开口部连通的流路,该微芯片的特征在于,在上述开口部的内表面上形成有一层以上的电介质膜,上述内表面具有内侧面和底面,上述电介质膜是从上述开口部的上述内侧面到上述底面不间断而连续地形成的。
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