[发明专利]具有轴向磁场的辐射源无效

专利信息
申请号: 200780049879.7 申请日: 2007-12-14
公开(公告)号: CN101606442A 公开(公告)日: 2009-12-16
发明(设计)人: V·V·伊凡诺夫;V·Y·班尼恩;K·N·柯什烈夫 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: H05G2/00 分类号: H05G2/00;G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王新华
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明提供一种等离子体辐射源、形成等离子体辐射的方法、用于将图案从图案形成装置投影到衬底上的设备和器件制造方法。将图案化的辐射束投射到衬底上。反射光学元件被用来帮助将从等离子体源的等离子体区域发射的辐射形成为辐射束。在等离子体源内,在等离子体区域内产生等离子体电流。为了减小对反射光学元件的损坏,在等离子体区域内提供具有至少一个沿等离子体电流的方向取向的分量的磁场。该轴向磁场有助于限制等离子体的Z箍缩区域的破坏。通过限制这种破坏,发射的快速离子的数量可以被减少。
搜索关键词: 具有 轴向 磁场 辐射源
【主权项】:
1.一种等离子体辐射源,包括:限定一个区域的阳极和阴极,在所述区域内所述阳极和所述阴极之间产生等离子体电流;和磁体,所述磁体构造成在所述区域中产生具有至少一个沿所述阳极和所述阴极之间的所述等离子体电流的方向取向的分量的磁场。
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