[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法以及存储介质无效
| 申请号： | 200780049914.5 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101601125A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 泽田郁夫;P·芬泽克;大下辰郎;松崎和爱;康松润 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/205;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明在于提供一种处理容器的侧壁的温度控制性优异，并且能够抑制等离子体对基板的损伤的等离子体处理装置。等离子体装置(1)具有设置于处理容器(11)上部的与载置台(2)相对置的第1电极(31)以及第2电极(32)、对第1电极(31)和第2电极(32)之间供给处理气体的气体供给部(4)、为了将第1电极(31)和第2电极(32)之间供给的处理气体等离子体化而对电极(31、32)之间施加高频电力的高频电源部(33)、以及自处理容器(11)下部对处理容器(11)内的气氛进行真空排气的排气装置(14)。载置台(2)上的基板B附近的等离子体的电子温度降低，能够抑制等离子体对基板B的损伤，另外由于能够使用金属作为处理容器(11)的材料，其温度控制性良好。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 以及 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，具有处理容器和在所述处理容器内设置的载置台，利用将处理气体等离子体化而得到的等离子体，对载置于所述载置台上的基板进行处理，其特征在于，包括：在所述处理容器的上部与所述载置台相对置地设置的第1电极和第2电极；对所述第1电极和所述第2电极之间供给处理气体的气体供给部；与所述第1电极和所述第2电极中的至少一方相连接，对这些电极间施加高频电力，以使供给到所述第1电极和所述第2电极之间的所述处理气体等离子体化的高频电源部；以及连结在所述处理容器的下部，对该处理容器内的气氛进行真空排气的排气装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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