[发明专利]具有柔顺性的微电子组件及其方法有效
| 申请号： | 200780049974.7 | 申请日： | 2007-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101584033A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | V·奥加涅相;G·高;B·阿瓦;D·奥夫如特斯基 | 申请（专利权）人： | 泰塞拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制作微电子组件的方法包括：提供半导体晶片(20)，其具有可在第一表面(22)处被触及的触点；在第一表面(22)上形成柔顺性凸块(32)；以及在柔顺性凸块(32)上沉积牺牲层(34)。所述方法包括研磨牺牲层(34)和柔顺性凸块(32)以便平面化柔顺性凸块(32)的顶表面(36)，从而平面化顶表面(36)可被经过所述牺牲层(34)触及。牺牲层(34)被去除以暴露柔顺性凸块(32)和触点(38)。硅酮层(40)被沉积在柔顺性凸块(32)上，并且硅酮层(40)的一些部分被去除以暴露可在半导体晶片(20)的第一表面(22)处被触及的触点(38)。导电迹线(42)被形成为具有与触点(38)电连接的第一端部和层叠于柔顺性凸块(32)上的第二端部，并且导电元件设置在迹线(42)的第二端部的顶部上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 柔顺 微电子 组件 及其 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制作微电子组件的方法，包括：提供微电子元件，其具有第一表面和可在第一表面处触及的触点；在所述微电子元件的第一表面上提供柔顺性凸块；在所述柔顺性凸块和所述微电子元件的第一表面上沉积牺牲层，其中，所述牺牲层覆盖所述柔顺性凸块；研磨所述牺牲层和所述柔顺性凸块以便平面化所述柔顺性凸块的顶表面，其中，所述柔顺性凸块的平面化顶表面穿过所述牺牲层可被触及；在研磨步骤后，去除所述牺牲层；以及形成导电迹线，其具有与所述触点电连接的第一端部和层叠于所述柔顺性凸块的平面化顶表面上的第二端部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
