[发明专利]高分子电解质膜的制造方法及高分子电解质膜无效
| 申请号： | 200780050495.7 | 申请日： | 2007-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101589442A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 野殿光纪 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;C08G75/23;C08G81/00;C08J5/22;H01B1/06;H01M8/02;H01M8/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张 萍;李炳爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种高分子电解质膜的连续制造方法，其特征在于，包含以下工序：(i)制备工序，将含有离子导电性高分子的高分子电解质溶解在可溶解该高分子电解质的有机溶剂中，来制备高分子电解质溶液，所述离子导电性高分子具有离子交换基；(ii)涂布工序，在连续移动的支撑基材上流延涂布前述(i)中得到的高分子电解质溶液，连续地得到支撑基材和含有离子导电性高分子的层叠层而形成的叠层膜1；以及(iii)干燥工序，使前述(ii)中得到的叠层膜1通过干燥炉，除去含有前述离子导电性高分子的层中残留的前述有机溶剂，连续地得到支撑基材和高分子电解质膜中间体叠层而形成的叠层膜2，其中，前述(iii)中的叠层膜1在干燥炉中的滞留时间为50分钟以内，刚通过干燥炉后的叠层膜2中所存在的高分子电解质膜中间体中的残留有机溶剂浓度为40重量％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 高分子 电解 质膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.高分子电解质膜的连续制造方法，其特征在于，包含以下工序：(i)制备工序，将含有离子导电性高分子的高分子电解质溶解在可溶解该高分子电解质的有机溶剂中，来制备高分子电解质溶液，所述离子导电性高分子具有离子交换基；(ii)涂布工序，在连续移动的支撑基材上流延涂布前述(i)中得到的高分子电解质溶液，连续地得到支撑基材和含有离子导电性高分子的层叠层而形成的叠层膜1；以及(iii)干燥工序，使前述(ii)中得到的叠层膜1通过干燥炉，除去前述含有离子导电性高分子的层中残留的前述有机溶剂，连续地得到支撑基材和高分子电解质膜中间体叠层而形成的叠层膜2，其中，前述(iii)中的叠层膜1在干燥炉中的滞留时间为50分钟以内，刚通过干燥炉后的叠层膜2中所存在的高分子电解质膜中间体中的残留有机溶剂浓度为40重量％以下。
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