[发明专利]键合两个衬底的方法有效
申请号: | 200780051154.1 | 申请日: | 2007-11-23 |
公开(公告)号: | CN101601123A | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | 塞巴斯蒂安·凯尔迪勒;维利·米歇尔;沃尔特·施瓦岑贝格;达尼埃尔·德尔普拉;纳迪娅·本默罕默德 | 申请(专利权)人: | 硅绝缘体技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李 辉 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明提供了一种将两个衬底键合在一起的方法,在键合期间所述衬底的表面彼此接触,该方法包括至少一个清洁步骤,该清洁步骤在使得要键合的两个衬底或者其中一个衬底的表面彼此接触之前清洁所述表面,其特征在于,以使得所清洁的各个表面未被显著地粗糙化的方式执行所述清洁步骤,并且其中,在所述键合之前还对所述要键合的至少一个衬底进行加热,所述加热是在这些衬底的表面彼此接触之前开始的,并且所述加热至少持续到这些表面已经彼此接触为止。本发明还涉及一种形成包括半导体材料薄层的结构的方法,该半导体材料薄层是从供体衬底被转移到第二衬底的,该方法包括以下步骤:将两种原子物质共同注入到所述供体衬底中,以生成限定了要转移的薄层的削弱区域;将这些衬底键合在一起,该方法的特征在于,以使得所述两种原子物质的峰值在所述供体衬底的厚度中具有小于200的偏移的方式,注入所述两种原子物质;并且其中,根据前述方法执行所述键合。 | ||
搜索关键词: | 两个 衬底 方法 | ||
【主权项】:
1、一种将两个衬底键合在一起的方法,在所述键合期间这两个衬底的表面彼此接触,该方法包括至少一个清洁步骤,该清洁步骤在使得要键合的两个衬底的表面彼此接触之前清洁所述两个衬底或者其中一个衬底的所述表面,所述方法的特征在于,-以使得所清洁的各个表面未被显著地粗糙化的方式执行所述清洁步骤,并且其中,-在所述键合之前还对要键合的至少一个衬底进行加热,所述加热是在这些衬底的表面彼此接触之前开始的,并且所述加热至少持续到这些表面已经彼此接触为止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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