[发明专利]利用大规模FET阵列测量分析物的方法和装置有效
| 申请号： | 200780051353.2 | 申请日： | 2007-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101669026A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 乔纳森·M·罗思伯格;沃尔夫冈·欣茨;金·L·约翰逊;詹姆斯·布斯蒂略 | 申请（专利权）人： | 离子流系统有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;G01N33/543 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于分析物测量的非常大规模FET阵列的方法和装置。可基于改进的FET像素和阵列设计，利用常规CMOS制造技术来制造化学FET(例如ISFET)阵列，该设计在提高测量的灵敏度和准确度的同时有利于明显小的像素尺寸和密集阵列。改进的阵列控制技术提供从大型密集阵列的快速数据采集。这种阵列可用于在广泛的化学和/或生物过程中检测不同类型的分析物的存在和/或浓度的改变。在一个实例中，化学FET有利于基于监测氢离子浓度(pH)变化、其他分析物浓度的变化和/或与涉及DNA合成的化学过程有关的结合事件的DNA序列测定技术。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 大规模 fet 阵列 测量 分析 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种装置，包括CMOS制造的传感器(105)的阵列(100)，每个传感器包括一个化学敏感场效应晶体管(化学FET)(150)，并且在所述阵列的表面上占据约10微米乘10微米或更少的面积。
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