[发明专利]现场外掺杂半导体传输层有效
| 申请号： | 200780051563.1 | 申请日： | 2007-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101611480A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | K·B·卡亨 | 申请（专利权）人： | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号： | H01L21/368 | 分类号： | H01L21/368;H01L21/208 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 段晓玲;范 赤 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造用于电子设备中的现场外掺杂半导体传输层的方法包括：在胶体溶液中生长第一组的具有表面有机配体的半导体纳米颗粒；在胶体溶液中生长第二组的具有表面有机配体的掺杂材料纳米颗粒；将第一组的半导体纳米颗粒和第二组的掺杂材料纳米颗粒的混合物沉积在表面上，其中有比掺杂材料纳米颗粒更多的半导体纳米颗粒；进行纳米颗粒的沉积混合物的第一次退火，这样有机配体从第一组和第二组的纳米颗粒的表面上煮掉；进行沉积混合物的第二次退火，这样半导体纳米颗粒熔结形成连续的半导体层和掺杂材料原子从掺杂材料纳米颗粒中扩散出去并进入到连续半导体层中。 | ||
| 搜索关键词： | 现场 掺杂 半导体 传输 | ||
【主权项】：
1.制造用于电子设备中的现场外掺杂半导体传输层的方法，该方法包括以下步骤：(a)在胶体溶液中生长第一组的具有表面有机配体的半导体纳米颗粒；(b)在胶体溶液中生长第二组的具有表面有机配体的掺杂材料纳米颗粒；(c)将第一组的半导体纳米颗粒和第二组的掺杂材料纳米颗粒的混合物沉积在表面上，其中有比掺杂材料纳米颗粒更多的半导体纳米颗粒；(d)进行纳米颗粒的沉积混合物的第一次退火，这样有机配体从第一组和第二组的纳米颗粒的表面上煮掉；和(e)进行沉积混合物的第二次退火，这样半导体纳米颗粒熔结形成连续的半导体层和掺杂材料原子从掺杂材料纳米颗粒中扩散出去并进入到连续半导体层中而得到现场外掺杂半导体传输层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊斯曼柯达公司，未经伊斯曼柯达公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780051563.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
