[发明专利]使用表面张力减少气体干燥晶片的方法和装置无效
| 申请号： | 200780051593.2 | 申请日： | 2007-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101622694A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 约翰·M·德拉里奥斯;保罗·A·基特尔;迈克尔·拉夫金;米哈伊尔·科罗利克;埃里克·弗里尔;卡特里娜·米哈里斯;弗里茨·C·雷德克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 吴贵明;张 英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 揭露一种用邻近头处理基片的方法。该方法开始于，提供头，其具有靠近该基片的表面的头部表面。该头具有宽度和长度，且该头具有多个沿该头的长度成多排配置的端口。该多排遍布该头的宽度，且有被配置为分配第一流体的第一组端口。将该第一流体分配至该基片的该表面以便在该基片该表面和该头的该表面之间形成弯液面。该方法还包括从该头的第二组端口向该弯液面和该基片之间的界面输送气态二氧化碳。该二氧化碳协助促进减小该弯液面相对于该基片表面的表面张力。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 表面张力 减少 气体 干燥 晶片 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种使用邻近头处理基片的方法，包含：提供头，其具有靠近该基片的表面的头部表面，该头具有宽度和长度，且该头具有多个沿该头的长度成多排配置的端口，该多排遍布该头的宽度，第一组端口被配置为将第一流体分配至该基片的该表面以便在该基片的该表面和该头的该表面之间形成弯液面；以及从该头的第二组端口向该弯液面和该基片之间的界面输送气态二氧化碳，以便该二氧化碳协助促进减小该弯液面相对于该基片表面的表面张力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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