[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种能够防止铁电体电容器劣化的半导体装置及其制造方法。上述半导体装置具有：基底绝缘膜(25)，形成在硅基板(10)的上方，铁电体电容器(Q)，形成在基底绝缘膜(25)之上，多个层间绝缘膜(35、48、62)以及金属布线(45、58、72)，交替形成在电容器(Q)之上，导电性塞柱(57)，形成在层间绝缘膜(48)所具有的孔(54a)内，与金属布线(45)电连接；在层间绝缘膜(48)的上表面上，形成有依次层叠第一绝缘性氧化金属膜(50a)、介电常数低于层间绝缘膜(48)的中间绝缘膜(50b)以及第二绝缘性金属氧化金属膜(50c)而成的第一电容器保护绝缘膜(50)，在该第一电容器保护绝缘膜(50)也形成有孔(54a)。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：基底绝缘膜，形成在半导体基板之上，电容器，形成在上述基底绝缘膜之上，并具有下部电极、由铁电体材料构成的电容器介质膜以及上部电极，交替形成在上述电容器之上的多个层间绝缘膜以及多个金属布线，导电性塞柱，形成在上述层间绝缘膜所具有的孔内，并与上述金属布线电连接；在多个上述层间绝缘膜中的至少1个层间绝缘膜的上表面上，形成有第一电容器保护绝缘膜，在该第一电容器保护绝缘膜上也形成有上述孔，该第一电容器保护绝缘膜是依次层叠第一绝缘性氧化金属膜、中间绝缘膜以及第二绝缘性金属氧化金属膜而成的膜，该中间绝缘膜的介电常数低于上述层间绝缘膜的介电常数。