[发明专利]带有准直反射器的纳米结构化LED阵列无效
申请号: | 200780051744.4 | 申请日: | 2007-12-27 |
公开(公告)号: | CN101681918A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | L·萨穆尔森;B·佩德森;J·奥尔森;Y·马蒂诺夫;S·L·康塞克;P·J·汉伯格 | 申请(专利权)人: | 昆南诺股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;B82B1/00;B82B3/00;H01L33/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;王忠忠 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | 本发明涉及发光二极管LED。根据本发明的纳米结构化LED器件包括多个单独的纳米结构化LED的阵列。每个纳米结构化LED具有其中产生光的有源区。纳米结构化器件还包括多个反射器,每个反射器关联到一个单独的纳米结构化LED(或一组纳米结构化LED)。各个反射器具有面向各自单独的纳米结构化LED的有源区或纳米结构化LED组的有源区的凹面。 | ||
搜索关键词: | 带有 反射 纳米 结构 led 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种纳米结构化LED器件(101),包括多个单独的纳米结构化LED(100)的阵列,每个纳米结构化LED(100)包括用于光发射的有源区(120),特征在于多个反射器每个关联到一个单独的纳米结构化LED(100)或一组纳米结构化LED,并且每个反射器(135)均具有面向各自单独的纳米结构化LED的有源区或纳米结构化LED组的有源区的凹面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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