[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200780052210.3 | 申请日： | 2007-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101636834A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 吉村铁夫;渡边健一;大塚敏志 | 申请（专利权）人： | 富士通微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/82;H01L27/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 浦柏明;徐 恕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件具有电容器，该电容器具有：绝缘膜，其形成在半导体基板1的上方；电容元件，其具有形成在绝缘膜7上的电容下部电极11b、形成在电容下部电极11b的上表面以及侧面上的介电膜13、形成在介电膜13上且比电容下部电极11b宽阔的电容上部电极19b，其中，该电容上部电极19b由金属膜的第一金属图案构成；布线19a、19b，其形成在绝缘膜7上，由所述金属膜的第二金属图案构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体基板，绝缘膜，其形成在半导体基板上方，电容元件，其具有形成在所述绝缘膜上的电容下部电极、形成在所述电容下部电极的上表面以及侧面上的介电膜、由金属膜的第一金属图案构成的电容上部电极，所述金属膜形成在所述介电膜之上且比所述电容下部电极宽阔，布线，其形成在所述绝缘膜上，由所述金属膜的第二金属图案构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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