[发明专利]形成电荷泵控制器的方法及其结构有效
| 申请号： | 200780052321.4 | 申请日： | 2007-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101636910A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | H·沙维 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H03L7/089 | 分类号： | H03L7/089;H03K17/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦 晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成电荷泵控制器的方法及其结构。在一个实施方式中，电荷泵控制器配置有具有至少两个不同的可选择的导通电阻值的晶体管，可用于给泵电容器充电。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 电荷 控制器 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1.一种开关电容控制器，包括：第一MOS晶体管，其具有包括第一栅极的第一部分并具有包括第二栅极的第二部分，所述第一栅极配置成形成所述第一MOS晶体管的第一导通电阻，所述第二栅极配置成形成所述第一MOS晶体管的小于所述第一导通电阻的第二导通电阻，所述第一MOS晶体管配置成将一泵电容器耦合成接收第一电流以给所述泵电容器充电；第二MOS晶体管，其具有包括第一栅极的第一部分并具有包括第二栅极的第二部分，所述第一栅极配置成形成所述第二MOS晶体管的第一导通电阻，所述第二栅极配置成形成所述第二MOS晶体管的小于所述第一导通电阻的第二导通电阻，所述第二MOS晶体管配置成将所述泵电容器耦合成向负载提供第二电流；第一电路，其配置成响应于所述泵电容器或负载电容器之一上的第一电压不大于第一值而使能所述第一MOS晶体管的所述第一部分且不使能所述第一MOS晶体管的所述第二部分，以给所述泵电容器充电；所述第一电路配置成响应于所述第一电压不大于所述第一值而使能所述第二MOS晶体管的所述第一部分且不使能所述第二MOS晶体管的所述第二部分，以向所述负载提供所述第二电流；所述第一电路配置成响应于所述第一电压不小于所述第一值而使能所述第一MOS晶体管的所述第一部分和所述第二部分；以及所述第一电路配置成响应于所述第一电压不小于所述第一值而使能所述第二MOS晶体管的所述第一部分和所述第二部分。
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